manbet手机版登录硅设计资源

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manbet万博官网Synopsys对此建议

TCAD新闻,2019年冬季

在这个版本中,学习Sentaurus TCAD方法模拟三维NAND多晶硅通道的电特性,也探索2d材料fet,新兴的…

TCAD新闻,2017年冬季

本期tad新闻具有特殊的意义,因为它突出了我们最近收购QuantumWise的产品。

猫新闻,2017年夏季

这一版的CATS新闻解决了掩模制造社区的压力,提供高质量的掩模sub-10nm技术节点,同时,保持非常高的掩模…

TCAD新闻,2016年冬季

在这个版本中,了解Synopsys在Sentaurus设备manbet万博官网中开发高级逻辑流程节点和NBTI建模的解决方案。

猫新闻,2015年秋季

20nm以下的掩模制造技术为掩模光刻和验证提出了新的挑战。cat的K-2015.09版本在应对这些挑战方面开辟了新的领域。

TCAD新闻,2015年夏季

这个版本涵盖了Sentaurus的K-2015.06版本。

TCAD新闻,2014年秋季

欢迎收看2014年9月版tad新闻。当14nm FinFET接近量产时,10 nm和7nm节点的开发正在顺利进行。The J-2014.09 release of TCAD Sentaurus…

2014年夏季猫新闻

2014年6月,我们发布了最新版本的CATS: J-2014.06。在本期中,我们将讨论新版本的特性和好处。

TCAD新闻,2013年冬季

这是IEDM 2013版tad新闻。在这一期中,我们提供了Sentaurus I-2013.12的概述,提供了新的功能和模型,以支持最新技术的开发…

TCAD新闻,2013年春季

在这个版本中,我们介绍了TCAD Sentaurus的H-2013.03版本中的新功能和增强,其中包括一些重要的新功能和更新功能,解决建模问题…