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TCAD新闻,2019年冬季

在本版中,了解Sentaurus TCAD方法,用于模拟3D NAND中多晶硅通道的电气特性,以及勘探2D-材料FET,新兴......

TCAD新闻,2017年冬季

本版TCAD新闻具有特殊意义,因为它突出了我们最近收购量化的产品。

猫新闻,2017年夏天

本版猫新闻解决了面具制造业社区的压力,为Sub-10nm技术节点提供高质量的面罩,同时保持非常高的面罩......

TCAD新闻,2016年冬季

在本版中,了解Synopsys解决Sentaurus设备中manbet万博官网的高级逻辑流程节点和NBTI建模的Synopsys解决方案。

猫新闻,2015年秋季

在20nm以下技术节点的面罩制造呈现出掩码光刻和验证的新挑战。猫的释放K-2015.09在解决这些挑战时打破了新的基础。

TCAD新闻,2015年夏天

此版本涵盖了Sentaurus的K-2015.06释放。

TCAD新闻,2014年秋季

欢迎来到2014年9月版TCAD新闻。虽然14nm finfet接近批量生产,但在10和7nm节点的开发很好。J-2014.09释放TCAD SENTAURUS ......

猫新闻,2014年夏天

2014年6月,我们发布了最新版本的猫:J-2014.06。在这个问题中,我们讨论了新版本的特征和益处。

TCAD新闻,2013年冬季

这是TCAD新闻的IEDM 2013版。在此问题中,我们提供了Sentaurus I-2013.12的概述,具有新的功能和模型,以支持开发最新技术......

TCAD新闻,2013春季

在此版本中,我们介绍了H-2013.03发行TCAD Sentaurus的新功能和增强功能,其中包括一些重要的新的和更新功能,满足了建模......